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名 称：化合积电（厦门）半导体科技有限公司认 证：工商信息已核实
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产品简介
氮化铝的优势
直接带隙，禁带宽度6.2eV，是重要的深紫外和紫外发光材料·高击穿电场强度、高热导率、高绝缘性、低介电常数、低热膨胀系数、机械性能好、耐腐蚀，常用于高温高频高功率器件
非常好的压电性能(特别是沿C轴方向)，是目前制备各种传感器、驱动器以及滤波器的**材料之与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料
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